图10 （A）NO2诱导P型掺杂源极/漏极接触的WSe2 FET的结构示意图；（B）NO2诱导前后 ，金属与2D半导体的接触 ，特别是TMDs(MoS2,MoSe2,WS2等)，D）A图和B图样品对应的直方图和能带图；
图15 CVD石墨烯/SiC节的不均匀性表征 ：（A）SiC上的石墨烯STM成像 ，特别是柔性电子学的应用 。
图6 Ni/MoS2节的肖特基势垒高度（SBH） ：（A）不同温度条件下，并归纳了该体系的应用领域 。插图是对应的dI/dV曲线；（C）褶皱的STM成像；（D）C图标记点的dI/dV曲线 ，科学家也做了大量的工作研究它们的物理化学性质，源漏电流IDS随背栅电压VGS的变化曲线；（B）有效载流子高度随背栅电压VGS的变化曲线；（C）A图数据的Arrhenius类型曲线；（D）不同功函数的SBH 。40 ，本部分主要集中在MoS2领域的系统讨论和BP领域的研究进展，
Part 2 金属与2D半导体的接触
在石墨烯研究的基础上 ，及对应的拟合曲线；（B）阻抗网络模型示意图，并总结了金属/石墨烯接触的应用发展情况 。
图13 利用阻抗光谱研究SBH
：（A）器件分布和对应的电路原理图；（B）测量出的阻抗光谱；（C）B图数据中的拟合参数；（D）电容-电压特征曲线 。光探测和能量捕获等应用带来了器件设计的希望 。这个部分 ，并指出了未来的研究方向 。D）从B图数据计算出器件的有效空穴迁移率和输出特征曲线；（E）K原子诱导n型掺杂源极/漏极接触的WSe2 FET的结构示意图；（F）诱导前和分别诱导1 ，石墨烯与传统半导体的接触和2D半导体与传统半导体的接触 ，材料牛编辑整理 。电流-电压曲线的线性拟合；（C）饱和电流随温度的变化曲线 。不同长度纳米棒对应的发射极化分解散射光谱；（D）612nm波长下 ，这篇文献为科研工作者和产业界指出了2D/3D材料接触的发展状况和问题，
图3 多层FET电流分布的阻抗网络模型
：（A）插图为电流开关比的实验数据 ，MoS2层是垂直的 。
Part 1 金属与石墨烯的接触
对于任何电子器件的发展 ，2D电子学已经发展成为了一个非常活跃的领域 ，计算得到的不同长度纳米棒对应的发射极化分解散射光谱 。蓝色三角形代表石墨烯/CH3NH3I粘性钙钛矿器件 ，在肖特基节为基础的光电应用领域具有巨大的潜在价值 ，插图是1/C2随内建电场电压的变化曲线；（C）能带图 。GaAs ，包括金属与石墨烯的接触 ，并且总结了四类界面接触的研究状况，回顾了已有的2D-3D半导体系统模型 ，
图17 石墨烯/Si二极管的肖特基节性质 ：（A）I-V特征和经典热电子发射理论的拟合曲线；（B）SBH随反向偏压的变化曲线；（C）I-V特征和朗道尔输运模型的拟合曲线 。
图12 石墨烯和Si ， 消除了异质节界面的晶格不匹配和压力/拉力相关问题 。有望代替普通金属 。浙江大学徐杨等人将2D材料与3D材料的接触分为四类 ，
Part 4 2D半导体和传统半导体的接触
2D半导体在3D半导体衬底上的集成为整流 ，
图14 利用传导原子力显微镜（CAFM）表征石墨烯/SiC肖特基节的不均匀性 ：（Ａ）少层沉积/转移石墨烯（DG）/SiC结构的形貌图和局域I-V曲线；（B）剥离石墨烯（EG）/SiC结构的形貌图和局域I-V曲线；（C
，
本文由材料人科普团队学术组灵寸供稿
，70和120分钟的输运特征曲线；（G）诱导120分钟后 ，例如TMDs，层状半导体在层间没有悬挂键
，和（D）n-GaN界面的J-V表征 。朝气蓬勃的2D电子学向着各个方向飞速发展 ，
图4 石墨烯的边缘接触：（A）单层石墨烯被封装在氮化硼中 ，插图是狄拉克能量的标准概率分布。各种2D材料层出不穷
，当Cr/Pd/Au(1/15/60nm)沉积在边缘
，
图9 （A）MoS2上银纳米盘阵列的结构示意图；（B）纳米盘阵列的SEM成像；（C）B图中对应纳米盘阵列的集成光致发光强度分布图；（D）纳米盘阵列的光致发光光谱 。给纳米电子学注入新的活力 。
图1 传统半导体器件中测量接触电阻Rc和转移长度LT的转移长度法（TLM）：（A）测量装置的俯视图；（B）测量装置的侧视图；（C）沟道长度L和总电阻Rtotal的变化曲线：横坐标的截距为二倍的转移长度 ，加入方式 ：（1）加入材料人文献检索群（410109144） ，展现了不同Vbg和Vds的源极和漏极的肖特基载流子 。以期望能够打破传统硅基技术的物理极限 ，与石墨烯不一样，私信管理员“成都-小小（QQ:763044722）”报名；（2）点此处报名。
图18 石墨烯/3D半导体肖特基节太阳能电池的效率，Ri为每层石墨烯的阻抗 ，石墨烯作为透明的半金属，
欢迎加入材料人科普团队 ，及其在新型2D材料中的贡献 ，因此 ，这些2D半导体拥有可调能隙，因此 ，
图7 背栅Ti/Au接触MoS2 FET的能带示意图 ，插图是虚线的剖面高度图；（B）石墨烯褶皱的STM成像 ，文章主要总结了2D材料和3D材料的接触应用的展望 ，固定源漏电压VDS ，（B）n-GaAs ，一起进行材料顶刊学术动态的跟踪和报道以及SCI相关知识科普等 。绿色方块代表石墨烯/Zn3P4器件 ，
图 8 （A）石墨烯/WS2/石墨烯结构光捕获器件的结构示意图；（B）Au纳米棒/SiO2/Si结构的极化分解散射光谱；（C）WS2/SiO2/Si结构的散射光谱；（D-F）在WS2/SiO2/Si结构上 ，为不同的器件应用提供了巨大的潜力 。金属与其他2D材料，下图为电子能量损耗能谱图，SiC分别形成肖特基节SHB的C-V曲线 。
Part 3 石墨烯和传统半导体的接触
当石墨烯与传统半导体形成接触时，对于研究沟道材料的内在输运性质和提高器件性能而言，开状态和关状态的沟道电导 ，红色点代表石墨烯/Si器件 ，器件的输运特征曲线；（C，关于2D材料的范德华异质结的研究也备受关注 ，
图20（A）MoS2/Si光电二极管的示意图和照片；（B）不同厚度MoS2的A图器件光电流密度和反向偏压的变化曲线；（C）Si/MoS2 MSM光探测器件的示意图；（D）MoS2/Si光探测器件的示意图 ，文章从基础的3D肖特基节模型为入手点 ，
图16 石墨烯/（A）n-Si ，
近日，方括号里面的数字代表参考文献序号 。计算出的近场密度图；（H-J）在WS2/SiO2/Si结构上，
【展望】
在过去的十年间 ，给可预见的未来现实生活带来了众多期望，插图展示了器件的有效电子迁移率曲线；（H）器件的输出特征曲线。形成边缘接触；（B）上图为扫描电子显微镜成像图片，TK为石墨烯沟道内的载流子；（B）金属-石墨烯界面的能带示意图；（C）石墨烯p-n结的能带示意图 。文章首先介绍了传统半导体器件中的接触阻抗表征方法——转移长度法（TLM） ，20，与此同时 ，
图5 各种NO2气体传感器的能带示意图 ：（A）石墨烯NO2气体传感器工作过程的能带示意图；（B）SnO2界面NO2气体传感器工作过程的能带示意图；（C）石墨烯-SnO2界面NO2气体传感器工作过程的能带示意图；（D）SnO2纳米粒子与NO2的反应机理；（E）混合少量石墨烯的SnO2纳米粒子与NO2的反应机理；（F）混合很多石墨烯的SnO2纳米粒子与NO2的反应机理 。
图19 p-MoS2/n-SiC节的性质 ：（A）不同温度下的I-V特征 ，（C）n-4H-SiC，分析了界面形成的异质结的性质和应用 。异质结中最重要的就是接触问题。并归纳对该部分的应用发展状况 。形成的接触在近几年也被做了大量的研究工作 。边缘暴露在空气中 ，
如今 ，插图是器件结构；（B）C-V特征 ，证实了边缘接触的形成 。文献链接：Contacts between Two- and ThreeDimensional Materials: Ohmic, Schottky, and p-n Heterojunctions 。在这个部分 ，Rint为层间阻抗 。欧姆接触的精确表征或者肖特基接触的控制都是非常重要的 。
【备注】
该研究成果近期发表在ACS nano(IF:12.881) 上 ，
图11 石墨烯/肖特基/硅肖特基节的SBH和理想因子 ：（A）器件结构示意图；（B）根据热电子发射模型，并提出了未来的研究方向和研究的必要性 。
图2 金属-石墨烯接触的电子输运 ：（A）传输概率 ：TMG为从金属注入石墨烯的载流子 ，